[5] Jegyzetek [ szerkesztés] ↑ MOSCAP szimulátor 2014. ↑ Schroder 2006, 61. o. ↑ a b Lee Stauffer. Fundamentals of Semiconductor C-V Measurements. Keithley Instruments Inc. (2009. február). Hozzáférés ideje: 2019. január 22. ↑ Schroder 2006, 62. o. ↑ a b c 6. 6 The MOS Capacitance.. (Hozzáférés: 2019. január 23. ) ↑ 6. 5 Analysis of the MOS capacitor.. ) Források [ szerkesztés] Tananyagok, ismeretterjesztő weblapok [ szerkesztés] Mikroelektronika és technológia, V. sz gyakorlat - Kapacitás-feszültség mérése félvezetõ rétegszerkezeteken. Kapacitás-feszültség mérés – Wikipédia. BME VIK EET. ) [ halott link] Cristea, Miron J: Capacitance-voltage profiling techniques for characterization of semiconductor materials and devices., 2010. november 15. ) Szakkönyvek, szakcikkek [ szerkesztés] S. Berberich, P. Godignon, M. L. Locatelli, J. Millán, H. Hartnagel (1998). " High frequency CV measurements of SiC MOS capacitors " (angol nyelven). Solid-State Electronics 42 (6), 915–920. o, Kiadó: Elsevier. DOI: 10. 1016/s0038-1101(98)00122-1.
Digitális multiméter, true RMS, VC950 CAT IV 600 V Auto Range Kettős kijelző 10000/100000 Alappontosság ±0, 015% Mérési frekvencia 3 Sa/mp Adatgyűjtési funkció 20000 mérési adathoz Az új, nagyteljesítményű adatgyűjtő multiméter a VC900-sorozatból ipari célra szolgál, számos kiegészítő funkcióval, pl. aluláteresztő szűrő a pontos feszültségméréshez hajtás-vezérlőkön és más elektromos készülékeken, amelyek alapfrekvenciájához felharmonikusok adódnak. br Különösen alkalmasak a mérőműszerek hibakereséshez az elektronikában, folyamatok automatizálásánál, energiaelosztásnál, és elektromechanikus berendezéseknél. Pulse oximéter - Contec | kedvező ár ! - Egészségügyi termék. A multiméter több mérés rögzítését képes végezni mobil bevetésnél, még felügyelet nélkül is. Ehhez a készülék maximálisan 20000 mérési adat tárolására alkalmas belső memóriával rendelkezik. Optikai USB-s csatlakozó útján az adatok egyszerűen átadhatók számítógépre. A nagy, 100. 000-es kijelző automatikus háttérvilágítással lehetővé teszi több mérés megjelenítését, sötét környezetben is.
MOSFET, MOSCAP) esetén a C-V mérés során az alábbi helyettesítő áramkörrel vehetjük figyelembe az eszköz elektromos viselkedését. [5] Akkumulációban nincs kiürített tartománya, így az eszköz teljes kapacitása pusztán a szigetelő kapacitásából adódik: ahol a szigetelő réteg kapacitása. Kiürítés esetén az eszköz kapacitása a szigetelő réteg kapacitásának és a kiürített tartomány kapacitásának soros kapcsolásaként értelmezhető: ahol a replusz művelet jele, a kiürített tartomány egységnyi felületének kapacitása, pedig a kiürített tartomány szélessége, a felületi potenciál, az elemi töltés, pedig a térfogati donorkoncentráció. Ceruzaelem kapacitás mérés meres 2021. [6] A mérés ezen szakaszában a kiürítés mértékétől, tehát az előfeszítés nagyságától függ az eszköz kapacitása. [5] Inverzió esetén eltérő viselkedést mutat az eszköz kis- és nagyfrekvencián. A kisfrekvenciás kapacitás megfelel a szigetelő kapacitásának: míg a nagyfrekvenciás kapacitás megegyezik a szigetelő és a kiürített tartomány sorba kapcsolat kapacitásaival: ahol a kiürített tartomány maximális kapacitása, pedig a kiürített tartomány maximális szélessége.