Könyv – Földesiné Szabó Gyöngyi: Magyar olimpikonok önmagukról és a sportról - Dedikált – Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó 1984 Magyar olimpikonok önmagukról és a sportról - Dedikált + 149 pont Földesiné Szabó Gyöngyi Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó, 1984 Kötés: papír / puha kötés, 249 oldal Minőség: jó állapotú antikvár könyv Leírás: megkímélt, szép állapotban Kategória: Olimpia Utolsó ismert ár: 1490 Ft Ez a könyv jelenleg nem elérhető nálunk. Előjegyzéssel értesítést kérhet, ha sikerül beszereznünk egy hasonló példányt. Az értesítő levél után Önnek meg kell rendelnie a könyvet.
× Lista exportálása irodalomjegyzékként
Főigazgató Rudas Tamás Főigazgató Tudományos cím vagy fokozat: MTA doktora, DSc. E-mail: Telefonszám: 06-1-224-6733 / 460 Épület: PTI épület (Emelet, szobaszám: I. ) Kutatási területek Rudas Oktatói önéletrajz Dr. Kuczi Tibor egyetemi tanár Társadalomtudományi és Nemzetközi Kapcsolatok Kar Szociológia és Társadalompolitika Intézet Karrier Felsőfokú végzettségek: 1980-1982 ELTE BTK, szociológia 1973-1977 ELTE BTK, filozófia DR. Magyar Testnevelési és Sporttudományi Egyetem - Földesiné Szabó Gyöngyi kitüntetése. NAGYKÁLDI CSABA. Oktatás helye: DR. NAGYKÁLDI CSABA Oktatás helye: nappali testnevelő tanári szak (elméleti) TF nappali angol nyelvű tanári szak (gyakorlati vívás) TF levelező testnevelő tanári és edzői szak (elméleti) TF nemzetközi Oktatói önéletrajz Dr. Nagy Beáta egyetemi tanár Társadalomtudományi és Nemzetközi Kapcsolatok Kar Szociológia és Társadalompolitika Intézet Karrier Felsőfokú végzettségek: 1982-1986 MKKE, közgazdász, szociológus Tudományos fokozatok, Suskovics Csilla PhD. Szerz, cím, megjelenés helye, Szerz, cím, megjelenés helye, helye, PUBLIKÁCIÓ Könyv, idegen nyelv Suskovics Csilla PhD PUBLIKÁCIÓ Könyv, idegen nyelv Szerz, cím, megjelenés helye, 2006 Szerz, cím, megjelenés helye, 2007 Szerz, cím, megjelenés helye, 2008 Szerz, cím, megjelenés helye, 2009 Könyv, magyar Fügedi Balázs PhD.
Az elektronok áramlása csak a csatornán keresztül lehetséges, mivel a zárórétegekben kialakult tértöltésű zónák elektromos erőtere megakadályozza mozgásukat ezekben a tartományokban. A zárórétegek szélessége az UGS feszültség segítségével vezérelhető. A szükséges vezérlőteljesítmény minimális értékű, mivel a kisebbségi töltéshordozók mozgásának eredményeképpen egy elhanyagolható nagyságú záróirányú áram folyik ≈10−8÷10−10A. Az UGS feszültségnek a vezérelhetőség biztosítása miatt N csatornás JFET esetén negatívnak, míg P csatornás eszköz esetén pozitívnak kell lennie (a source elektródához viszonyítva). Hasonló módon az UDS feszültség N csatornás JFET esetén pozitív, P csatornás JFET esetén pedig negatív (a source elektródához képest). Tranzisztor - Elektronikai alapismeretek - 6. Félvezetők: Tranzisztorok - Hobbielektronika.hu - online elektronikai magazin és fórum. JFET A záróréteges térvezérlésű tranzisztorok ( JFET) csatornáját a félvezető térfogatában két záróirányban polarizált PN-átmenet határolja. A JFET tranzisztorokat N és P csatornás változatban készítik. A csatorna -szor hosszabb, mint a vastagsága. A csatorna két végére fémezéssel kapcsolt elektródák a D drain (drain nyelő) és az S source (source forrás).
Ennek köszönhetően a gate és a másik két elektróda között gigaohm nagyságrendű az ellenállás. Fontos gyakorlati tudnivaló, hogy az ilyen eszközöket beforrasztás előtt (vagy közben) igen könnyen tönkre lehet tenni az elektródák megérintésével. Dr. Halmai Attila (2012) A térvezérlésű tranzisztor A térvezérlésű tranzisztor A FET tranzisztor a bipoláris tranzisztorokhoz hasonlóan, három kivezetéssel rendelkező félvezető eszköz. Neve az angol F ield E ffect T ransistor elnevezésből származik. A térvezérlésű tranzisztorok másképpen működnek, mint a bipoláris tranzisztorok, ezért megkülönböztetésül másképpen is hívják az elektródákat: az emitternek a source (forrás), a bázisnak a gate (kapu), a kollektornak a drain (nyelő) elektróda felel meg. Az 1. 4. 1. Az összekötő mezőhatás tranzisztor vagy a JFET működési elve. ábra egy p-n átmenetek segítségével kialakított n -csatornás struktúrát ábrázol (jFET, junction FET). A működés lényege, hogy a gate elektróda környezetében kialakult kiürített réteg vastagságával befolyásolni lehet a csatorna ellenállását, azaz vezérelni lehet a kimenetet.
Mivel a feszültségforrás pozitív kapcsa csatlakozik a leeresztő terminálhoz és a forrásterminál földelt. A csatorna mentén elterjedt feszültségeloszlás miatt a csővezetéknek a csatornához közelebb eső része nagyobb feszültséget okoz, mint a csomópont alsó része. Ennek eredményeképpen a leeresztő réteg szélessége közelebb van a lefolyóhoz, mint az alsó rész. Ebben az állapotban a többségi hordozók áramlása (itt n csatornás többségi hordozókban szabad elektronok) a csatorna folyamatos, a lefolyó és a forrás közötti alkalmazott elektromos mező miatt. Ha lassan növeljük a leeresztő feszültséget, akkor a terepi hatású tranzisztor csatornán keresztüli áram lineárisan növekszik. Ez a linearitás azonban nem folytatódik egy adott lefolyási feszültség után. 6.1. A záróréteges (JFET) tranzisztor felépítése, működése. Ezt a feszültséget csipeszfeszültségnek nevezik. Amikor növeljük a leeresztő feszültséget, a csatorna a kapu feszültségkülönbséghez is növekszik. Ez a különbség azonban inkább a lefolyóterminál felé vezet. Ennélfogva a leeresztő réteg a lefolyóterminál felé gyorsabb, mint a forrásterminál felé.
Mivel a vezérlést elektromos tér hozza létre, hasonlóan a JFET-hez vezérlőteljesítmény gyakorlatilag nem szükséges. A térvezérlésű tranzisztorok előnyös tulajdonságai - a bipoláris tranzisztorokhoz viszonyítva: • a nagy értékű bemeneti ellenállás, • egyszerű gyártástechnológia, • és kisebb helyigény az integrált áramkörök szerkezetében. A feszültségvezérelt eszközök N-csatornás JFET elvi felépítése Ha a csatorna két elektródájára feszültséget kapcsolunk UDS és a gate elektróda feszültsége UGS nulla, a két PN-átmenet záróirányú polarizálást kap. Az N-típusú csatornában a D drain elektródától az S source elektróda felé áramló elektronok árama UGS=0 feszültségnél a legnagyobb, mivel ebben az esetben a csatorna szélessége maximális. Ezen tulajdonsága miatt a záróréteges térvezérlésű tranzisztorokat önvezetőknek is nevezzük. A zárórétegek szélessége, - amelyek meghatározzák a csatorna keresztmetszetét - annál nagyobb, minél nagyobb a záróirányban ható feszültség. Minél nagyobb a zárófeszültség annál kisebb a vezetőréteg keresztmetszete, tehát az ellenállása is.
A JFET alkalmazásai: A JFET-et kapcsolóként használják A Junction Field Effect Tranzisztort erősítőként használják. Pufferként használható Junction Field Effect Tranzisztort (JFET) használnak digitális elektronika áramkör mérete és alkalmazhatósága miatt. Adja meg a különbséget a bipoláris átmenet tranzisztor és a kereszteződési térhatás tranzisztor között: BJT vs FET: BJT FET Polaritás Bipoláris eszköz Unipoláris készülék A hordozó típusai Az elektronok és a lyukak kétféle hordozó Itt vagy elektronokra vagy lyukakra van szükség. A mozgás folyamata A hordozó mozgása diffúziós eljárással történik. A hordozók mozgatása sodrással történik. Kapcsolási sebesség A BJT kapcsolási sebessége viszonylag gyorsabb. A kapcsolási sebesség viszonylag lassabb. Hőmérséklet-függőség Kevésbé stabil hőmérséklet Stabilabb a hőmérséklet Zaj Zajszint magasabb Alacsonyabb a zajszint Méret Viszonylag nagyobb Viszonylag kisebb, IC-ben használják. Ár Viszonylag olcsóbb Viszonylag drága Vezérlési paraméter Jelenlegi vezérlőkészülék Feszültségszabályozó készülék.
6. 1. A záróréteges (JFET) tranzisztor felépítése, működése Félvezető áramköri elemek | Sulinet Tudásbázis Analóg eletronika | Digitális Tankönyvtár A JFET-nek kétféle kialakítású N-csatornás és P csatornás változata is létezik. Az N csatornást vizsgáljuk meg részletesebben, a P csatornás működése csak az áramok és feszültségek polaritásában tér el. Gate (G): vezérlőelektróda, feszültsége határozza meg a vezető csatorna keresztmetszetét, Source (S): erről az elektródáról indul el a csatornán áthaladó áram, Drain (D): ide érkezik a csatornán átfolyó áram. (S és D szerepe felcserélhető) Ha a záróréteges FET S-D elektródái közé feszültséget kapcsolunk, akkor a vezető csatornán keresztül elindul a drain áram, amelyet a csatorna ellenállása korlátoz. Ha G és S elektróda közé záróirányú feszültséget kapcsolunk a kiürített réteg szélessége nő, a vezető csatorna leszűkül, ellenállása nő és a drain áram csökken. A fentiekből látható, hogy a drain áramot a gate elektróda feszültségével vezérelhetjük.