Rendeljen online új harisnyát a Tchibotól!
MÉRET: Válasszon egy MÉRET lehetőséget 35-38 38-41 MINTA: Válasszon egy MINTA lehetőséget Piros Szürke Kék 990Ft 590Ft - 41% Női vastag zokni - karácsonyi minta NWSH023
Kérdéseivel bármikor fordulhat hozzánk, panasz esetén pedig segítünk annak a rendezésében.
Az elektronok áramlása csak a csatornán keresztül lehetséges, mivel a zárórétegekben kialakult tértöltésű zónák elektromos erőtere megakadályozza mozgásukat ezekben a tartományokban. A zárórétegek szélessége az UGS feszültség segítségével vezérelhető. A szükséges vezérlőteljesítmény minimális értékű, mivel a kisebbségi töltéshordozók mozgásának eredményeképpen egy elhanyagolható nagyságú záróirányú áram folyik ≈10−8÷10−10A. Az UGS feszültségnek a vezérelhetőség biztosítása miatt N csatornás JFET esetén negatívnak, míg P csatornás eszköz esetén pozitívnak kell lennie (a source elektródához viszonyítva). Hasonló módon az UDS feszültség N csatornás JFET esetén pozitív, P csatornás JFET esetén pedig negatív (a source elektródához képest). Fet Tranzisztor Működése. JFET A záróréteges térvezérlésű tranzisztorok ( JFET) csatornáját a félvezető térfogatában két záróirányban polarizált PN-átmenet határolja. A JFET tranzisztorokat N és P csatornás változatban készítik. A csatorna -szor hosszabb, mint a vastagsága. A csatorna két végére fémezéssel kapcsolt elektródák a D drain (drain nyelő) és az S source (source forrás).
A tranzisztor egy szilárdtest félvezető, amelyet elektronikus áramkörökben használnak erősítési és kapcsolási célokra. Nah, most ezek leírása következik. A tranzisztor három, egymást felváltva követő különböző vezetési tipusú tartományú, egymáson elhelyezkedő rétegből áll. Minden réteg ki van vezetve egy lábra. A két szélső réteget kollektornak (C), és emitternek (E) nevezik, a középső réteget bázisnak (B) hívják. Bipoláris tranzisztor rajzjele. Baloldalt az NPN, jobboldalt a PNP típusú tranzisztor, felettük a helyettesítő kapcsolás. A bázis jóval vékonyabb mint a másik két réteg. A tranzisztor működése a pn-átmeneti réteg hatásán alapul. Ha a bázison keresztül nem folyik áram, akkor a tranzisztor kollektora és az emittere között sem folyik áram. Amennyiben a bázison áram folyik át, akkor az áram mértékével arányosan folyik áram a kollektor és az emitter között. Mivel a bázisáram jóval kisebb mint a kollektor-emitter áramhoz, a tranzisztor erősítőként üzemel. Az áramerősítés mértéke akár több százszoros is lehet.
Vagyis vonzani fogják az elektronokat. Ennek elérése érdekében adszorbeálják más akceptor szennyeződésekkel, vagyis trivalensekkel (alumínium, indium, gallium,... Általában az alap félvezető általában szilícium vagy germánium, bár vannak más típusok is. A dopantok általában nagyon alacsony dózisokban vannak, egy fél szennyeződés nagyságrendben a félvezető minden 100. 000. 000 1 10. 000 atomjára. Bizonyos esetekben nehéz vagy erősen adalékolt területek alakulhatnak ki, például P + vagy N +, amelyek XNUMX XNUMX-nél XNUMX szennyező atommal rendelkeznek. BJT (bipoláris csomópontú tranzisztor): ez a bipoláris tranzisztor, a legkonvencionálisabb. Ebben be kell injektálnia egy alapáramot a kollektoráram szabályozásához. Belül kétféle típus létezik: NPN: Ahogy a neve is mutatja, van egy félvezető zónája, amely N típusú adalékkal rendelkezik, emitterként, másik központi P alapként működik, és egy másik a szintén N típusú kollektor számára. PNP: ebben az esetben fordítva van, az alap N típusú lesz, a fennmaradó kettő pedig P típusú.